產(chǎn)品篩選:
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C18S
SOD323GW
200
18
5
45
225
1
0.1
13
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C20S
SOD323GW
200
20
5
55
225
1
0.1
14
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C22S
SOD323GW
200
22
5
55
250
1
0.1
15
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C24S
SOD323GW
200
24
5
70
250
1
0.1
17
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C27S
SOD323GW
200
27
2
80
300
0.5
0.1
19
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C2V4S
SOD323GW
200
2.4
5
100
600
1
50
1
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C2V7S
SOD323GW
200
2.7
5
100
600
1
20
1
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C30S
SOD323GW
200
30
2
80
300
0.5
0.1
21
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C33S
SOD323GW
200
33
2
80
325
0.5
0.1
23
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C36S
SOD323GW
200
36
2
90
350
0.5
0.1
25
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C39S
SOD323GW
200
39
2
130
350
0.5
0.1
27
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C3V0S
SOD323GW
200
3
5
95
600
1
10
1
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C3V3S
SOD323GW
200
3.3
5
95
600
1
5
1
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C3V6S
SOD323GW
200
3.6
5
90
600
1
5
1
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C3V9S
SOD323GW
200
3.9
5
90
600
1
3
1
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C43S
SOD323GW
200
43
2
130
350
0.5
0.1
29
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C47S
SOD323GW
200
47
2
170
1000
0.25
0.1
36
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C4V3S
SOD323GW
200
4.3
5
90
600
1
3
1
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C4V7S
SOD323GW
200
4.7
5
80
500
1
3
2
Package
PD(mW)
VZ@lZT(V)(Nov.)
lZT(mA)
ZZT@lZT(Ω)(MAX.)
ZZK@lZK(Ω)(MAX.)
lzk(mA)
IR@VR(uA)(Max.)
VR(V)
BZT52C51S
SOD323GW
200
51
2
180
1300
0.25
0.1
39
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