2022
發(fā)布時間：
2024-01-05
●IGBT并聯(lián)用FRED續(xù)流二極管芯片研發(fā)成功并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；<br> ●集團(tuán)公司在科創(chuàng)板成功過會；<br> ●設(shè)計(jì)開發(fā)了雙基島GaN Mosfet產(chǎn)品并已實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn)。
- IGBT并聯(lián)用FRED續(xù)流二極管芯片研發(fā)成功并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；
- 集團(tuán)公司在科創(chuàng)板成功過會；
- 設(shè)計(jì)開發(fā)了雙基島GaN Mosfet產(chǎn)品并已實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn)。
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